标准推广需求对接
Standard Promotion
SiC MOSFET阈值电压测试方法——电流源单点测试法
报送单位：中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟        时间：2024/12/27 14:49:30
主要技术范围：本文件规定了碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)阈值电压测试方法。 本文件适用于SiC MOSFET阈值电压的测量，包含测试原理，测试电路以及测试条件。
对外合作需求：1.联合举办标准推广沙龙、研讨会等活动； 2.对接国际国内标准相关组织； 3.申请转化为国家标准
服务对象：科技型企业、科技工作者
中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟
2024年12月27日
SiC MOSFET阈值电压测试方法——电流源单点测试法的发布公告.pdf
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