标准推广需求对接
Standard Promotion
碳化硅外延层深能级缺陷的测试 瞬态电容法
报送单位：中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟        时间：2025/3/13 16:58:51
主要技术范围：本文件规定了用瞬态电容技术中的深能级瞬态谱法测量碳化硅（SiC）外延材料中深能级缺陷的方法。 本文件适用于测量碳化硅外延材料层中的杂质、缺陷在半导体禁带中产生的深能级。此方法可得到深能级的激活能、浓度、俘获截面等参数。
对外合作需求：1.联合举办标准推广沙龙、研讨会等活动； 2.对接国际国内标准相关组织； 3.申请转化为国家标准
服务对象：科技型企业、科技工作者
中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟
2025年03月13日
碳化硅外延层深能级缺陷的测试 瞬态电容法的发布公告.pdf
申请下载
0/0
0/0
0/0
0/0
0/0
0/0
友情链接
中华人民共和国科学技术部中华人民共和国工业和信息化部中国科学技术协会北京市科委、中关村管委会北京市经济和信息化局北京市民政局北京市科协中关村科学城管理委员会科创中国·科技创新创业大赛
联系我们
联系方式：010-62780935邮箱：lmxx@zlinks.org.cn地址：海淀区清华科技园学研大厦A座1001工作时间：09:00-17:00
备案号 京ICP备17037497号-1 技术支持：梯立方科技