2025年，“联合护航行动”以帮助企业提升技术创新能力，助力园区高水平建设和发展为服务目标，将主要围绕技术护航、产业护航、标准护航、服务护航四方面行动开展相关工作，助力科技型企业成长壮大，推动园区高质量发展。
在北京市科委、中关村管委会，北京市社会组织管理中心指导下，中关村产业技术联盟以“联合护航行动”为主题持续开展“惠企服务”系列活动，2025年6月16日-6月22日，面向广大科技企业开放1场专场活动，发布2项标准创制需求。欢迎各企业报名参加，致电咨询。
一、“联合护航行动”之活动护航开放清单
序号 | 产业方向 | 活动名称 | 内容 | 活动方式 | 时间 | 联系人 |
1 | 新一代信息技术 | 2025第五届“长风杯”创新创业大赛丨合投·云路演-走进力合科创专场 | 发布联盟：北京长风信息技术产业联盟 内容： “长风杯”赛事介绍 主讲人：李 彤 长风联盟市场部总监 | 线下活动 —— 海淀区清华科技园科技大厦B座G层地面层 （北京市海淀区中关村东路1号院） | 6月18日 （星期三） 14:00-16:00 | 白丽娜： 15210127884 |
二、“联合护航行动”之标准护航开放清单
标准创制需求发布
序号
| 项目/标准名称 | 项目/标准内容 | 项目/标准创制需求 | 项目/标准类型 | 有效期 | 发布联盟 | 联系人 |
1 | 《碳化硅外延片表面缺陷测试-拉曼光谱法》 | 范围：本标准描述了拉曼光谱法测试碳化硅同质外延片表面缺陷的方法。 本标准适用于 4H-SiC 同质外延片的表面缺陷测试。 技术内容：采用线扫描拉曼光谱对 4H-SiC 同质外延片进行测试，通过分析不同位置发光峰变化，从而准确、有效地实现 4H-SiC 同质外延片表面的缺陷总数和分布计算。本标准内容包含了 4H-SiC 同质外延片表面缺陷定义、方法原理、干扰因素、测试条件、仪器设备、试验步骤、试验数据处理和试验报告等技术内容。 | 邀请SiC外延片生产企业、功率器件制造商、检测设备供应商、新能源汽车企业及科研院所共同参与标准制定工作，提供样品测试数据、工艺验证支持及产业化应用反馈。 | 团体标准 | 即日起至2026年6月5日 | 中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟 | 周子吉： 17854177403 |
2 | 《碳化硅晶片无损位错检测方法--X 射线衍射成像》 | 本标准描述了利用 X 射线形貌（XRT）无损检测碳化硅晶片位错的方法。 本标准规定了碳化硅晶片位错测试的无损检测方法，包括原理、仪器设备、检测程序等。 | 邀请碳化硅衬底生产企业、外延厂商、功率器件制造商、检测设备供应商及科研院所共同参与标准制定，提供技术验证支持与产业化应用反馈。 | 团体标准 | 即日起至2026年6月5日 | 中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟 | 周子吉： 17854177403 |
活动报名方式：
请搜索添加微信号15512566201报名入群。“联合护航行动”相关活动会议号及直播链接，均于活动当日在群中公布。申请需注明姓名、单位、职务、参加活动序号。
中关村产业技术联盟联合会
2025年6月16日
（联系人：孙老师；联系电话：010-62780087）